Ｊディスプレが従来比４倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体ＴＦＴを実現

　ジャパンディスプレイ<6740>がこの日の取引終了後、茂原工場（千葉県茂原市）の第６世代（Ｇ６）量産ラインで、従来の酸化物半導体薄膜トランジスタ（ＯＳ－ＴＦＴ）技術に革新的な特性向上を実現するバックプレーン技術の開発に世界で初めて成功したと発表した。

　今回開発された新技術は、電界効果移動度が従来のＯＳ－ＴＦＴ技術と比較して２倍以上となる高移動度酸化物半導体技術及び４倍以上となる超高移動度酸化物半導体技術。新技術により有機ＥＬ製品を始めとするディスプレーデバイスの技術革新を飛躍的に加速させ、ディスプレーの低消費電力化や、高精細・高リフレッシュレート化によるメタバース・ディスプレーの映像リアリティーや臨場感の向上、透明ディスプレーの透明感・表示品位の向上に寄与するとしている。同社では２４年に量産を開始する予定で、開発中の次世代有機ＥＬとの組み合わせでウェアラブルデバイスを中心とした新製品をＧ６ラインで量産し、２６年３月期に約２５０億円、２７年３月期に約５００億円の売り上げを目指すとしている。

出所：MINKABU PRESS