ルネサスが反発、xEV向けインバータ用新世代パワー半導体を発売へ

　ルネサスエレクトロニクス<6723>が反発している。同社はこの日、ｘＥＶ（電動車）向けのインバータ用パワー半導体として、新世代のＳｉ（シリコン）ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を開発し、第１弾となる７５０Ｖ耐圧・３００Ａ品のサンプル出荷を開始したと発表しており、これが好感されている。

　新製品は、現行の量産プロセス製品に比べて、電力の損失を約１０％改善したほか、壊れにくさ（破壊耐量）を維持したまま約１０％の小型化を実現したのが特徴。損失の低減と壊れにくさはトレードオフの関係にあるため、これを同時に実現したことにより、ＩＧＢＴとして業界最高レベルの性能を発揮するとしている。量産は２３年上期に那珂工場の２００ミリメートル及び３００ミリメートルラインで開始する予定で、更に２４年上期以降、新設するパワー半導体の専用工場である甲府工場の３００ミリメートルラインでも順次量産を開始し安定供給を実現する。

出所：MINKABU PRESS