ロームはしっかり、ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴが日立ＡｓｔｅｍｏのＥＶ用インバータに採用

　ローム<6963>はしっかり。午前９時ごろ、同社のＳｉＣ（シリコンカーバイド）パワーデバイスの一種である第４世代ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）とゲートドライバＩＣが、日立Ａｓｔｅｍｏ（東京都千代田区）の電気自動車（ＥＶ）用インバータに採用されたと発表しており、好材料視されている。

　ＥＶでは、航続距離の延伸や搭載バッテリーの小型化のために駆動の中核を担うインバータの高効率化が課題となっており、ＳｉＣパワーデバイスに大きな期待が寄せられている。ロームの第４世代ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴは、短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現したデバイスで、車載インバータ搭載時の電費を改善できることから、電動車の航続距離延伸に大きく貢献するとしている。

出所：MINKABU PRESS