オキサイドが逆行高、ＧａＮ薄膜成長用単結晶基板「ＳＡＭ」のサンプル出荷開始

　オキサイド<6521>が全般安の中逆行高している。半導体材料である窒化ガリウム（ＧａＮ）薄膜単結晶の成長に適した新材料単結晶基板「ＳＡＭ」のサンプル出荷開始を決定したと発表しており、これが好感されている。

　同社では今回のサンプル出荷を新たな受託開発への糸口と位置付けており、事業拡大の見通しが立った時点から量産化へ向けての開発を加速させる方針。なお、同製品のサンプル出荷が、今後３年間の業績に与える影響は軽微としている。

出所：MINKABU PRESS