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2016年07月12日14時17分

日立化成が3日続伸、高純度の酸化セリウム粒子系CMPスラリーの基本特許を取得

 日立化成<4217>が3日続伸。同社はこの日、半導体回路平坦化用研磨材料(CMPスラリー)の一種である、高純度の酸化セリウム粒子系CMPスラリーについて、基本となる特許第5882659号を取得したことを発表した。

 同社は、酸化セリウム粒子系CMPスラリーについて、研磨による半導体ウエハーへの傷(研磨傷)を抑制することが可能な高純度化技術を開発し、研磨傷の原因となるケイ素系不純物を1ppm(100万分の1)以下に低減し、研磨傷も同社従来品比較で70%低減している。今回取得したのはその技術を用いた高純度の酸化セリウム粒子系CMPスラリーで、この開発技術を事業の差別化に活用していく。

出所:株式経済新聞(株式会社みんかぶ)

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